在6月初于日本东京举办的VLSI Symposium（超大规模集成电路研讨会）期间，台积电展示了自己设计的一颗小芯片（chiplet）This。基本参数上，This采用7nm工艺，4.4x6.2mm（27.28mm），CoWos（晶圆基底封装），双芯片结构，其一内建4个Cortex A72核心，另一内建6MiB三缓。

　　该芯片采用了一种双芯片设计，这种技术可以通过添加额外的PHY来进行扩展，芯片不同单元间以及不同芯片之间可以形成互联。每个小芯片具有15个金属层，模具本身仅为4.4毫米×6.2毫米（27.28mm）。台积电采用了四个Arm Cortex-A72内核，针对turbo频率大于4GHz电压操作，配备了高性能单元（7.5T，3p + 3n）并定制设计1级高速缓存单元，这一模块有两个L2缓存块，每个1MiB，这些是使用它们的高电流位单元实现的，并以半速运行。此外，还有一个大型的6MiB L3缓存，使用高密度位单元实现，并以四分之一速度运行。

　　在1.20的电压下，Cortex内核可以达到4GHz，实测最高达到了4.2GHz（1.375V）。台积电称，这款芯片是为高性能计算平台设计，这也解释其主频为何如此惊人。 宗 禾

　　在6月初于日本东京举办的VLSI Symposium（超大规模集成电路研讨会）期间，台积电展示了自己设计的一颗小芯片（chiplet）This。基本参数上，This采用7nm工艺，4.4x6.2mm（27.28mm），CoWos（晶圆基底封装），双芯片结构，其一内建4个Cortex A72核心，另一内建6MiB三缓。

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